半導体製造工程に見るJSR

01 ウエハの切り出し

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シリコンインゴットからウエハを切り出します。

02 成膜

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高温炉の中にウエハを入れ、表面に酸化膜を形成します。

03 フォトレジスト塗布

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ウエハを回転させながら、フォトレジストを均一に塗布します。

フォトレジスト

半導体の微細な回路配線を可能にする感光性樹脂。光が当たった部分のみアルカリ(現像液)で除去できるポジ型と、光の当たったところだけ硬化するネガ型があります。JSRではg線、i線、KrF、ArFといった各光源に対応した豊富なラインナップを揃えています。

04 露光

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印刷の原理で、回路パターンが刻印された「フォトマスク」の上からレーザーを照射し、フォトレジストを反応させます。

05 現像

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露光によって反応した部分を現像液によって溶かします。

06 エッチング

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フッ素系プラズマによって余分な薄膜を除去します。

07 フォトレジスト剥離(アッシング)

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酸素ガスをプラズマ化させ、フォトレジストを剥離します。

08 メタライゼーション

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形成された微細な溝に金属膜(銅など)を堆積させます。

09 CMP

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堆積した表面をナノレベルで平坦にします。

CMPスラリー/CMPパッド

半導体製造における重要な工程の一つがCMP(化学的機械的研磨: Chemical Mechanical Planarization工程)です。
CMPパッド上に研磨砥粒を含むCMPスラリーを散布し、その上でシリコンウエハを研磨し平坦化し、半導体の高集積化(多層化)を可能にします。

10 層間絶縁膜材料塗布

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配線同士がショートしないよう、誘電率の低い層を形成します。

11 フォトレジスト塗布

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ウエハを回転させながら、フォトレジストを均一に塗布します。

フォトレジスト

半導体の微細な回路配線を可能にする感光性樹脂。光が当たった部分のみアルカリ(現像液)で除去できるポジ型と、光の当たったところだけ硬化するネガ型があります。JSRではg線、i線、KrF、ArFといった各光源に対応した豊富なラインナップを揃えています。

12 露光・現像

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再びフォトマスクの上からフォトレジストに露光し、反応した部分を現像液によって溶かします。

13 エッチング

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フッ素系プラズマによって余分な薄膜を除去します。

14 フォトレジスト剥離(アッシング)

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酸素ガスをプラズマ化させ、フォトレジストを剥離します。

15 メタライゼーション

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形成された微細な溝に金属膜(銅など)を堆積させます。

16 CMP

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堆積した表面をナノレベルで平坦にします。

CMPスラリー/CMPパッド

半導体製造における重要な工程の一つがCMP(化学的機械的研磨: Chemical Mechanical Planarization工程)です。
CMPパッド上に研磨砥粒を含むCMPスラリーを散布し、その上でシリコンウエハを研磨し平坦化し、半導体の高集積化(多層化)を可能にします。

17 層間絶縁膜材料塗布

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配線同士がショートしないよう、誘電率の低い層を形成します。

18 多層LSI(半導体集積回路)完成

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このようなプロセスを繰り返し、多層LSIが作られていきます。
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